电子发烧友网报道（文/黄晶晶）在人工智能、数据中心、新能源汽车、智能终端等应用的带动下，存储新技术新产品加速到来。例如数据中心市场，不仅是高带宽HBM持续进阶，HBM3E到HBM4的演进，企业级SSD也因AI训练和推理所需数据量的增加而不断扩大容量，以至于122TB甚至更高的SSD推出。智能手机市场，UFS4.0 QLC的发布将进一步满足智能终端对于高容量存储的需求等等。诸多存储产品的到来将为明年存储市场的发展注入新的动能。
400层3D TLC NAND
三星即将在2025年国际固态电路会议（ISSCC）上展示其最新的第10代超过400层3D NAND Flash，接口速度可达5.6 GT/s。三星成功研发出400层堆叠的NAND Flash技术，并有望在下半年正式投入量产。不过，有业内人士指出，如果加快生产速度，可能在第二季度末就开始量产。
据悉，三星为400层NAND引入了“三层堆叠”技术。三星的新一代V-NAND保持了TLC架构，每个芯片的容量为1Tb（128GB）。三星表示，其新的超400层3D TLC NAND Flash的存储密度达到了28 Gb/mm²，略低于其1Tb 3D QLC V-NAND的28.5 Gb/mm²，后者是目前世界上存储密度最高的NAND Flash。
此外，SK海力士正在开发400层堆叠的NAND闪存，将于2025年投入大规模量产。为此，SK海力士使用了4D NAND闪存、混合键合技术，即W2W(wafer-to-wafer)将两块晶圆键合在一起。
QLC UFS4.0闪存
铠侠宣布量产业界首款采用四层单元技术的QLC UFS 4.0闪存。相比于传统的TLC UFS有着更高的位密度，使其适用于需要更高存储容量的移动应用程序。可在智能手机、平板电脑PC、网络设备、增强现实/虚拟现实（AR/VR）以及人工智能（AI）设备等高科技领域中广泛应用，为这些领域带来更高的存储容量和卓越的性能提升。
512GB容量的QLC UFS 4.0闪存充分发挥了UFS 4.0接口的高速潜力，实现了惊人的4200MB/s顺序读取速度和3200MB/s的顺序写入速度，为用户带来前所未有的数据传输体验。铠侠巧妙地将先进的BiCS FLASH 3D NAND闪存与高效的主控芯片集成于JEDEC标准封装之内，不仅支持M-PHY 5.0和UniPro 2.0的最新规范，还确保了每通道高达23.2 Gb/s（或每设备46.4 Gbps）的理论接口速度，同时保持了与UFS 3.1标准的向下兼容性。
此外，QLC UFS 4.0闪存还引入了多项前沿特性，如HS-LSS（高速链路启动序列），该特性相比传统方法能显著缩短链路启动时间，提升效率约70%。同时，通过采用高级RPMB技术，实现了对安全数据的快速读写访问，进一步增强了数据保护能力。而扩展启动器ID（Ext-IID）功能的加入，则旨在与UFS 4.0主控的多循环队列（MCQ）协同工作，共同提升系统的随机性能，确保流畅的用户体验。
122TB数据中心SSD
2024年11月，Solidigm推出超大容量PCIe SSD，即122TB的Solidigm D5-P5336数据中心SSD。随着AI应用领域的不断拓展，数据存储在功耗、散热和空间限制等方面都迎来新的挑战。Solidigm全新122TB D5-P5336 SSD能够大幅提升能效和空间利用率，为核心数据中心到边缘的各种使用场景提供行业领先的存储效率。
Solidigm 122TB D5-P5336硬盘在降低功耗和提升空间利用率方面的具体表现包括：和传统HDD+TLC（三层单元）混合存储解决方案相比，网络附加存储（NAS）的存储功耗降低多达84%；和30TB TLC相比，提高边缘部署场景下的功耗密度，每瓦可存储多达3.4倍的数据量；每机架单元可存储高达4PB容量的数据；
全新Solidigm硬盘能够在更小的空间内存储更多的数据，实现更高效、更具可扩展性的数据中心和边缘设计：与传统 HDD + TLC混合存储解决方案相比，可在网络附加存储方面减少4倍的空间占用；和30TB TLC相比，可在空间有限的边缘存储多达4倍的数据。
在应对内容分发网络、通用存储应用和对象存储应用等数据密集型工作负载方面，这一现代高密度QLC硬盘相较于其他厂商的入门级高密度数据中心TLC产品，能够展现出高达15%的性能提升。在持续写入工作负载方面，D5-P5336的读取响应率高出最多40%。
Solidigm 122TB D5-P5336支持多种不同外形规格，轻松兼容行业标准存储服务器。随着此次超大容量SSD产品的推出，Solidigm继续践行了为客户提供具备行业领先质量和可靠性产品的坚定承诺。
全新122TB硬盘目前已开始向客户提供样品，进一步扩展了Solidigm面向AI和其他数据密集型工作负载的大容量SSD产品组合。
HBM4
12月，韩媒消息称SK海力士应重要客户的要求，将于2025年下半年以台积电3nm制程为客户生产定制化的第六代高频宽內存HBM4。SK 海力士计划于 2025 年下半年推出首批 12 层堆叠的 HBM4 产品，16 层堆叠的 HBM4 预计在 2026 年推出。
消息人士透露，SK海力士已决定与台积电合作，最快明年3月就会发布一款采用台积电3nm制程生产的基础裸片（base die）的垂直堆叠HBM4原型，而主要出货的客户是英伟达（NVIDIA）。
据悉，SK海力士标准款HBM4将继续采用N12FFC+基础裸片，而定制产品则从5nm升级至3nm。此前，SK海力士在定制HBM4上采用5纳米，若升级至更先进的3nm工艺，基础裸片有望提升20%~30%的性能。这种工艺选择使得SK海力士能够根据不同客户的需求提供定制化的解决方案。另外，三星同样预计在 25H2 提供HBM4 样品，批量生产计划在 26 财年。
LPDDR5
前不久，集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷指出，明年LPDDR5将成为主流，其中LPDDR5在智能手机上的占比会提升到55%。通用型Server DRAM 和 Mobile DRAM需求量占比最高，但AI LPDDR 和 AI Server DRAM成长性更好，正在成为市场下一个引领力量。
至于为何AI用LPDDR5越来越多，吴雅婷解释说，英伟达的Grace CPU制造工艺是用onboard的方式打在板子上，后续英伟达会将LPDDR5X以模组形式出货。预测算明年LPDDR5X 在 AI Server上的成长率会超过40%。同时，这将排挤 LPDDR5应用于智能手机的出货量。总体，明年LPDDR5的价格表现会比LPDDR4更有支撑度。
Mobile DRAM方面，LPDDR4X和LPDDR5X市场表现不同，LPDDR4X供应量大，随着智能手机向 LPDDR5迁移，LPDDR4的价格走势面临挑战。而LPDDR5X在AI上应用越来越广泛，表现更稳健。
汽车存储
IDC数据显示，随着智能化浪潮的来临，存储市场有望高速增长。2023年市场规模为44.1亿美元，到2027年平均增速将超过18%，远高于整体汽车半导体市场的增速。汽车存储芯片类型包括易失性存储器和非易失性存储器，比如DRAM、NAND、SRAM、MRAM、UFS、EEPROM等，其应用范围十分广泛，例如控制单元（ECU）、信息娱乐系统、先进驾驶辅助系统（ADAS）和车联网（V2X）通信等。
从市场格局来看，美光科技以45.8%的市场份额占据领先地位；紧随其后的是三星电子，以14.5%的市场份额稳步前；SK海力士则以7.2%的市场占比位居第三，展现出强劲的增长潜力；与此同时，英飞凌和铠侠也各自占据6.7%和6.3%的市场份额，展现出在汽车存储领域的重要影响力。这些厂商共同推动了汽车存储技术的发展，满足了不断增长的智能汽车存储市场需求。
今年4月，美光车规级4150AT SSD已开始送样。作为全球首款四端口 SSD，该产品提供多达四个片上系统（SoC）接口，可实现软件定义智能汽车的集中存储。美光4150AT SSD集多项市场领先特性于一身，例如单根输入/输出虚拟化（SR-IOV）、PCIe® 4.0 接口和坚固耐用的车规级设计。凭借这些产品特性，美光车规级4150AT SSD将为汽车生态系统提供数据中心级别的灵活性和强大功能。
三星电子也在随后的9月，宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD。三星新款256GB AM9C1车载SSD相比前代产品AM991，能效提高约50%，顺序读写速度分别高达4,400MB/s和400MB/s。AM9C1基于三星的5纳米控制器，提供单层单元（SLC）空间功能，其优异的性能让访问数据密集型文件更为轻松。用户将初始的三层单元（TLC）状态切换至SLC模式，即可体验大幅提升的读写速度，其中读取速度高达4,700MB/s，写入速度高达1,400MB/s，同时还能享有SLC SSD可靠性增强所带来的优势。
三星的新款车载SSD通过了更为严苛的板级测试，能够满足汽车半导体质量标准AEC-Q100 的2级温度测试标准，在-40°C至105°C宽幅的温度范围内能保持稳定运行。
当前，三星的主要合作伙伴正在进行256GB版本AM9C1的样品测试，这款产品预计将于今年年底开始量产。该产品容量覆盖从128GB到2TB等多种规格，其中最大的2TB SSD预计将在明年年初开始量产。
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